买卖IC网 >> 产品目录 >> MBT35200MT1 两极晶体管 - BJT Low Saturation datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

MBT35200MT1

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT Low Saturation
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Low Saturation
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制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO - 55 V
集电极—发射极最大电压 VCEO - 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 - 35 V
最大直流电集电极电流 2 A
增益带宽产品fT 100 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 100 at 1 A at 1.5 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-6
相关资料
属性
链接
代理商 MBT35200MT1
MBT35200MT1G
MBT35200MT1G/BKN
MBT35200MT2G
MBT3904DW
MBT3904DW1
供应商
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深圳市华盛锦科技有限公司 0755-82798020 张先生/雷小姐
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
山东骏腾电子科技有限公司 17653410616 金娜
  • MBT35200MT1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价